FQP18N20V2-HXY

FQP18N20V2-HXY

描述

这款N沟道场效应管具备200V的耐压能力与18A的持续电流处理能力，其导通电阻控制在120mΩ（典型值），配合±20V的栅源极电压范围，使其在高压环境下能实现高效的开关动作。得益于较低的导通损耗，器件在运行中能有效抑制发热，提升系统的整体能效。该组件适用于各类电源转换模块、电机驱动电路以及高亮度照明控制系统，为复杂的电子架构提供稳定可靠的功率管理支持。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

FQP18N20V2-HXY

商品编号

C54582847

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)