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FQP18N20V2-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管具备200V的耐压能力与18A的持续电流处理能力，其导通电阻控制在120mΩ（典型值），配合±20V的栅源极电压范围，使其在高压环境下能实现高效的开关动作。得益于较低的导通损耗，器件在运行中能有效抑制发热，提升系统的整体能效。该组件适用于各类电源转换模块、电机驱动电路以及高亮度照明控制系统，为复杂的电子架构提供稳定可靠的功率管理支持。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: FQP18N20V2-HXY
商品编号: C54582847
商品封装: TO-220C
包装方式: 管装
商品毛重: 3.156克(g)

商品参数

FQP18N20V2采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。