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FQP19N20L-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FQP19N20L-HXY

FQP19N20L-HXY

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描述
这款N沟道场效应管专为高效功率管理设计,具备200V的耐压能力与18A的持续电流处理水平。其导通电阻维持在120mΩ,配合±20V的栅源极电压范围,确保了在高压环境下的快速响应与低损耗运行。这种特性使其非常适合应用于各类开关电源、DC-DC变换器以及高功率电机驱动电路,能够在复杂的电子系统中提供稳定的功率切换与信号放大支持。
商品型号
FQP19N20L-HXY
商品编号
C54582848
商品封装
TO-220C​
包装方式
管装
商品毛重
3.164克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)18A
导通电阻(RDS(on))120mΩ@10V
耗散功率(Pd)125W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)25nC@10V
输入电容(Ciss)1.1nF
反向传输电容(Crss)30pF
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)180pF

商品概述

FQP19N20L采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • 漏源电压VDS = 200V,漏极电流ID = 18A
  • 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 0.15mΩ

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关
  • 不间断电源

数据手册PDF