立创商城logo
购物车0
AUIRFR5410TRL-HXY实物图
  • AUIRFR5410TRL-HXY商品缩略图
  • AUIRFR5410TRL-HXY商品缩略图
  • AUIRFR5410TRL-HXY商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AUIRFR5410TRL-HXY

AUIRFR5410TRL-HXY

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
描述
这款P沟道场效应管是一款专为中高压电源管理设计的功率器件。其100V的耐压值和15A的电流能力,使其能够胜任多种电源路径保护与负载切换任务。140mΩ的导通电阻在确保低导通损耗的同时,也简化了对散热系统的要求。 得益于P沟道的特性,该器件非常适合用于高端开关配置,可直接由逻辑电平信号控制,无需额外的电荷泵或自举电路,从而简化了整体设计。它常见于电池组保护、DC-DC转换器以及需要高效电源通断控制的各类电子设备中。
商品型号
AUIRFR5410TRL-HXY
商品编号
C54582845
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.39克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)15A
导通电阻(RDS(on))140mΩ@10V
耗散功率(Pd)34W
阈值电压(Vgs(th))1.6V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)47nC@10V
输入电容(Ciss)2.448nF
反向传输电容(Crss)54pF
配置独立式
类型P沟道
输出电容(Coss)69pF

商品概述

AUIRFR5410TRL采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = -100V,漏极电流(ID) = -15A
  • 当栅源电压(VGS) = -10V时,导通电阻(RDS(ON)) < 170mΩ

应用领域

  • 无刷电机
  • 负载开关
  • 不间断电源

数据手册PDF