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BSO220N03MSGXUMA1-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管具备30V耐压与9A连续漏极电流能力，其核心优势在于极低的导通电阻（18mΩ），这意味着在导通状态下能有效抑制发热，显著提升电源转换效率。配合±20V的栅极电压容限，该器件在电路设计中表现出优异的鲁棒性。它非常适合应用于便携式设备的电池保护回路、DC-DC开关电源模块以及电机驱动电路，能够作为高效的电子开关，在紧凑的空间内实现稳定的功率控制与负载管理。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: BSO220N03MSGXUMA1-HXY
商品编号: C54582828
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.146克(g)

商品参数

BSO220N03MSGXUMA1采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。