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DMT64M8LCG-7-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管专为高功率密度设计，其60V耐压值在低压供电系统中提供了充裕的安全余量。核心优势在于极低的4mΩ导通电阻，配合100A的持续电流处理能力，能有效抑制大电流下的热损耗。这种低阻抗特性使其非常适合作为DC-DC转换器的主开关管，或是用于电池保护板及电机驱动回路中，确保在频繁切换的高负载工况下维持系统的高效与稳定。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: DMT64M8LCG-7-HXY
商品编号: C54582837
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.096克(g)

商品参数

DMT64M8LCG - 7采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。