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DMT64M8LCG-13-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管采用先进的沟槽栅技术，在60V耐压等级下实现了优异的导通性能，其导通电阻仅为4mΩ。该器件能够承载100A的连续漏极电流，极低的热损耗特性使其在紧凑的PCB布局中也能保持良好的热稳定性。凭借其低栅极电荷和快速的开关速度，它非常适合应用于高频DC-DC转换器、同步整流电路以及各类便携式设备的电源管理模块，能够有效提升系统的整体功率密度与转换效率。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: DMT64M8LCG-13-HXY
商品编号: C54582839
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.092克(g)

商品参数

DMT64M8LCG - 13采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。