DMT64M8LCG-13-HXY

DMT64M8LCG-13-HXY

描述

这款N沟道场效应管采用先进的沟槽栅技术，在60V耐压等级下实现了优异的导通性能，其导通电阻仅为4mΩ。该器件能够承载100A的连续漏极电流，极低的热损耗特性使其在紧凑的PCB布局中也能保持良好的热稳定性。凭借其低栅极电荷和快速的开关速度，它非常适合应用于高频DC-DC转换器、同步整流电路以及各类便携式设备的电源管理模块，能够有效提升系统的整体功率密度与转换效率。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

DMT64M8LCG-13-HXY

商品编号

C54582839

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)