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AM7452NA-HXY
AM7452NA-HXY
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- 描述
- 这款N沟道场效应管具备60V耐压与100A连续电流处理能力，专为高功率密度场景设计。其核心优势在于极低的4mΩ导通电阻，能有效抑制大电流下的热损耗，显著提升系统能效。该器件凭借优异的电压控制特性与快速开关响应，非常适用于各类DC-DC转换器、同步整流电路以及电池管理系统中的负载开关，能够在紧凑的电路板空间内实现稳定的功率切换与高效的电源管理。
- 商品型号
- AM7452NA-HXY
- 商品编号
- C54582838
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.096克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 73.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.18nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 735pF |
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