AOSS32338C
AOSS32338C
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- 描述
- 这款N沟道场效应管专为高效电源切换而设计,其核心优势在于33mΩ的极低导通电阻。在5A负载电流下,它能将导通损耗与器件温升控制在极低水平,从而简化散热设计。30V的漏源击穿电压则为电路提供了充裕的安全裕度,确保在12V或24V等常见总线电压应用中稳定运行。得益于其电压驱动特性,栅极驱动电路设计简洁,使其成为便携式设备电源管理、电机调速及LED恒流驱动等场景的理想选择。
- 商品型号
- AOSS32338C
- 商品编号
- C54582834
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 310pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 49pF |
商品概述
AOSS32338C采用先进的沟槽技术,以提供出色的导通电阻、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V,ID = 5A
- RDS(ON) < 42mΩ(VGS = 10V时)
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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