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AO4720

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描述: 这款N沟道场效应管专为30V中低压应用设计，其核心亮点在于极低的9mΩ导通电阻，配合10A的连续漏极电流能力，能有效降低导通损耗，提升系统整体能效。±20V的栅极电压容限增强了其在复杂电路中的可靠性。它非常适用于需要高效功率开关的场景，如笔记本电脑与平板电脑的电池保护电路、USB PD快充设备的电源路径管理，以及各类DC-DC转换器中的同步整流环节。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: AO4720
商品编号: C54582830
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.142克(g)

商品参数

AO4720采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。