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AO4302

AO4302

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描述
这款N沟道场效应管旨在满足中大功率电路对高效率的严苛要求,其核心规格涵盖了30V的耐压值与30A的连续漏极电流处理能力。尤为突出的是其3.3mΩ的极低导通电阻,配合20V的栅源电压范围,能有效降低导通损耗并提升系统的整体能效。 在应用方面,该器件凭借优异的电流承载能力,非常适合用于高功率密度的DC-DC转换器及电池管理系统。它能胜任各类电源模块中的负载开关任务,同时也适用于高性能电机驱动控制及便携式储能设备,为复杂的功率拓扑提供稳定的开关性能。
商品型号
AO4302
商品编号
C54582832
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.16克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))3.3mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.4W
阈值电压(Vgs(th))1.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)24nC@10V
输入电容(Ciss)3.1nF
反向传输电容(Crss)286pF
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)370pF

商品概述

AO4302采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 30V,漏极电流(ID) = 30A
  • 当栅源电压(VGS) = 10V时,导通电阻(RDS(ON)) < 4.5mΩ

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关
  • 不间断电源

数据手册PDF