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CPH3448-TL-W-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管专为高效电源切换而设计，其核心优势在于33mΩ的极低导通电阻。在5A负载电流下，它能将导通损耗与器件温升控制在极低水平，从而简化散热设计。30V的漏源击穿电压则为电路提供了充裕的安全裕度，确保在12V或24V等常见总线电压应用中稳定运行。得益于其电压驱动特性，栅极驱动电路设计简洁，使其成为便携式设备电源管理、电机调速及LED恒流驱动等场景的理想选择。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: CPH3448-TL-W-HXY
商品编号: C54582833
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.045克(g)

商品参数

CPH3448-TL-W采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。