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NVMS4816NR2G-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管专为高效能电路设计，具备30V的漏源击穿电压与10A的连续漏极电流能力。其核心优势在于极低的9mΩ导通电阻，配合20V的栅源耐压范围，确保了在导通状态下的低损耗与高可靠性。在应用层面，该器件凭借优异的电压控制特性，非常适配于各类开关电源（SMPS）及DC-DC转换模块。它能有效应对负载开关中的电流冲击，同时也常用于电机驱动控制及LED照明系统，为便携式电子设备及通信模块提供稳定的功率管理支持。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NVMS4816NR2G-HXY
商品编号: C54582831
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.144克(g)

商品参数

NVMS4816NR2G采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。