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CPH3448-TL-H-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管专为中低压电源管理设计，具备30V的漏源击穿电压与5A的连续负载能力。其33mΩ的低导通电阻特性，使其在导通时能有效降低功率损耗与温升，非常契合对能效有要求的电路设计。该器件广泛应用于各类便携式设备的电源路径管理、锂电池组的充放电保护开关，以及各类小型电机与LED照明驱动电路中，作为高效、可靠的功率控制核心。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: CPH3448-TL-H-HXY
商品编号: C54582829
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.037克(g)

商品参数

CPH3448-TL-H采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。