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PHK13N03LT-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管专为中低功率的精密控制应用而设计。其18mΩ的导通电阻与9A的电流处理能力，在确保低导通损耗的同时，为负载提供了可靠的电流路径。30V的漏源击穿电压使其能够稳定工作在24V及以下的标准直流总线环境中，为各类电源模块提供了充足的安全裕量。高达20V的栅源极耐受电压，则增强了器件在复杂驱动环境下的鲁棒性。该器件尤其适用于对能效和尺寸有严格要求的场合，例如笔记本电脑的内部电源轨、固态硬盘的主控供电、以及各类便携式智能设备的电池管理系统，是实现高效、稳定电源转换的关键元件。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: PHK13N03LT-HXY
商品编号: C54582826
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.142克(g)

商品参数

PHK13N03LT采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。