PHK13N03LT-HXY

PHK13N03LT-HXY

描述

这款N沟道场效应管专为中低功率的精密控制应用而设计。其18mΩ的导通电阻与9A的电流处理能力，在确保低导通损耗的同时，为负载提供了可靠的电流路径。30V的漏源击穿电压使其能够稳定工作在24V及以下的标准直流总线环境中，为各类电源模块提供了充足的安全裕量。高达20V的栅源极耐受电压，则增强了器件在复杂驱动环境下的鲁棒性。该器件尤其适用于对能效和尺寸有严格要求的场合，例如笔记本电脑的内部电源轨、固态硬盘的主控供电、以及各类便携式智能设备的电池管理系统，是实现高效、稳定电源转换的关键元件。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

PHK13N03LT-HXY

商品编号

C54582826

商品封装

SOP-8​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)