STS25NH3LL-E-HXY

STS25NH3LL-E-HXY

描述

这款N沟道场效应管（MOSFET）专为高效功率开关应用而设计，其核心优势在于极低的导通电阻，仅为3.3毫欧。在30V的漏源电压下，它能够稳定承载高达30A的连续电流，有效降低了导通损耗与发热。该器件的栅源极电压耐受范围可达±20V，为驱动电路设计提供了充足的余量。凭借出色的电气性能，它非常适用于高电流密度的电源管理场景，如笔记本电脑主板的多相供电模块、服务器电源的同步整流电路，以及大功率LED照明驱动系统。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STS25NH3LL-E-HXY

商品编号

C54582818

商品封装

SOP-8​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)