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STS25NH3LL-E-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管（MOSFET）专为高效功率开关应用而设计，其核心优势在于极低的导通电阻，仅为3.3毫欧。在30V的漏源电压下，它能够稳定承载高达30A的连续电流，有效降低了导通损耗与发热。该器件的栅源极电压耐受范围可达±20V，为驱动电路设计提供了充足的余量。凭借出色的电气性能，它非常适用于高电流密度的电源管理场景，如笔记本电脑主板的多相供电模块、服务器电源的同步整流电路，以及大功率LED照明驱动系统。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: STS25NH3LL-E-HXY
商品编号: C54582818
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.146克(g)

商品参数

STS25NH3LL - E采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。