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IRF7832ZTR-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管专为高效功率管理设计，在30V耐压下可承载30A连续电流，其3.3mΩ的极低导通电阻有效抑制了工作时的热量产生。20V的栅极驱动范围使其能灵活适配各类控制电路。凭借出色的开关性能，它非常适用于笔记本电脑主板的供电模块、便携式设备的电池保护电路以及各类紧凑型DC-DC转换器，在有限空间内实现稳定、高效的电能转换。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IRF7832ZTR-HXY
商品编号: C54582821
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.148克(g)

商品参数

IRF7832ZTR采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。