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STSJ100NH3LL-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管在30V的漏源电压下，能够承载30A的连续电流，其核心亮点在于低至3.3毫欧的导通电阻，这有效降低了电路在大电流工作时的导通损耗与发热。±20V的栅源极电压耐受范围，为驱动电路的设计提供了充足的安全裕度。基于这些特性，它非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的场景，例如笔记本电脑与服务器主板的供电模块、高性能显卡的电源管理，以及大功率LED照明驱动等。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: STSJ100NH3LL-HXY
商品编号: C54582820
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.15克(g)

商品参数

STSJ100NH3LL采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。