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STSJ25NF3LL-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管在30V的耐压等级下，提供了9毫欧的低导通电阻，能够高效处理10A的连续电流，其±20V的栅源极电压耐受值为驱动电路设计提供了可靠的安全边界。凭借这种均衡的性能，它在空间受限但对效率有要求的场合表现出色，例如便携式设备中的DC-DC升压/降压转换器、电池组的保护电路，以及需要精确电流控制的电机驱动模块。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: STSJ25NF3LL-HXY
商品编号: C54582819
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.146克(g)

商品参数

STSJ25NF3LL采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。