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STS9NH3LL-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管专为高效能电源管理设计，具备30V的漏源耐压能力与9A的电流承载水平。其18mΩ的导通电阻在保持紧凑封装的同时，实现了优异的能效比，有效抑制了功率传输过程中的热损耗。器件支持20V的栅源电压范围，确保了驱动电路的兼容性与操作的稳定性。凭借均衡的电气特性，该组件非常适用于便携式设备的电池保护系统、DC-DC电压转换模块以及各类精密电子负载开关，为电路提供精准且可靠的功率控制。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: STS9NH3LL-HXY
商品编号: C54582814
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.146克(g)

商品参数

STS9NH3LL采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。