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SI4688DY-T1-E3-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管在30V漏源电压下，可承载10A连续电流，其9mΩ的低导通电阻有效降低了功率损耗与热积累。±20V的栅源电压容限为驱动电路设计提供了充足的安全裕度。这些特性使其成为中低压功率路径管理的理想选择，尤其适用于需要高效能与高可靠性的场景，如服务器主板的VRM模块、高端显卡的供电电路、以及各类高性能存储设备的电源分配网络。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SI4688DY-T1-E3-HXY
商品编号: C54582817
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.144克(g)

商品参数

SI4688DY-T1-E3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。