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IRFR540ZTRRPBF-HXY
IRFR540ZTRRPBF-HXY
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- 描述
- 这款N沟道场效应管专为高效能电路设计，其100V的耐压值与30A的持续电流处理能力，使其能够从容应对中高功率应用场景。低至24mΩ的导通电阻有效抑制了器件工作时的热量累积，从而提升了整体系统的能效与稳定性。在应用层面，它非常契合开关电源、DC/DC转换器以及各类电机驱动模块的需求，能够胜任高频开关与同步整流任务。±20V的栅源电压范围也为驱动电路的设计提供了充裕的安全余量，确保了复杂工况下的可靠运行。
- 商品型号
- IRFR540ZTRRPBF-HXY
- 商品编号
- C54582794
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.406克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 88W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.857nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 99pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 126pF |
商品概述
IRFR540ZTRRPBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS）：100V，漏极电流（ID）：30A
- 导通电阻（RDS(ON)）：30毫欧（栅源电压VGS为10V时）
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源