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STS10N3LH5-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管专为中等功率的电源管理设计，具备30V耐压与9A连续电流处理能力。其18mΩ的导通电阻在成本与性能之间取得了良好平衡，能够满足常规负载下的功率传输需求。20V的栅源电压范围提供了稳健的驱动窗口，确保器件在各类逻辑控制电路中稳定运行。凭借紧凑的封装与可靠的电气特性，该器件非常适合应用于DC-DC转换器、适配器及各类消费类电子产品的开关控制电路。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: STS10N3LH5-HXY
商品编号: C54582799
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.146939克(g)

商品参数

STS10N3LH5采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。