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BSO200N03S-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管专为高效能电源管理设计，其核心优势在于极低的18mΩ导通电阻与9A连续漏极电流的结合。在30V漏源电压的工作环境下，这种低阻抗特性能够显著降低导通损耗，从而减少发热并提升系统整体的能效表现。器件支持20V的栅源电压，确保了驱动电路的稳定性与可靠性。凭借优异的开关特性，它非常适合应用于笔记本电脑主板供电、便携式设备的电池保护模块以及各类DC-DC降压转换器中，能够满足现代电子产品对电路小型化与高转换效率的严苛要求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: BSO200N03S-HXY
商品编号: C54582811
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.14克(g)

商品参数

BSO200N03S采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。