BSO200N03S-HXY

BSO200N03S-HXY

描述

这款N沟道场效应管专为高效能电源管理设计，其核心优势在于极低的18mΩ导通电阻与9A连续漏极电流的结合。在30V漏源电压的工作环境下，这种低阻抗特性能够显著降低导通损耗，从而减少发热并提升系统整体的能效表现。器件支持20V的栅源电压，确保了驱动电路的稳定性与可靠性。凭借优异的开关特性，它非常适合应用于笔记本电脑主板供电、便携式设备的电池保护模块以及各类DC-DC降压转换器中，能够满足现代电子产品对电路小型化与高转换效率的严苛要求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

BSO200N03S-HXY

商品编号

C54582811

商品封装

SOP-8​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)