SQ4182EY-T1_BE3-HXY

SQ4182EY-T1_BE3-HXY

描述

这款N沟道场效应管专为高效率电源管理场景设计，核心优势在于3.3mR的超低导通电阻，搭配30A连续漏极电流与30V耐压规格，能大幅降低功率传输中的通路损耗，减少发热对电路稳定性的影响。±20V的栅源极电压耐受范围，使其可兼容多种驱动电路设计，无需额外增加电压保护模块。 它适合用于笔记本电脑的CPU核心供电电路、USB-C快充协议的同步整流模块，以及小型储能设备的负载开关，在紧凑的PCB布局中实现稳定的功率切换，满足高电流、低损耗的电路设计需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SQ4182EY-T1_BE3-HXY

商品编号

C54582805

商品封装

SOP-8​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)