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SQ4182EY-T1_BE3-HXY
SQ4182EY-T1_BE3-HXY
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- 描述
- 这款N沟道场效应管专为高效率电源管理场景设计，核心优势在于3.3mR的超低导通电阻，搭配30A连续漏极电流与30V耐压规格，能大幅降低功率传输中的通路损耗，减少发热对电路稳定性的影响。±20V的栅源极电压耐受范围，使其可兼容多种驱动电路设计，无需额外增加电压保护模块。 它适合用于笔记本电脑的CPU核心供电电路、USB-C快充协议的同步整流模块，以及小型储能设备的负载开关，在紧凑的PCB布局中实现稳定的功率切换，满足高电流、低损耗的电路设计需求。
- 商品型号
- SQ4182EY-T1_BE3-HXY
- 商品编号
- C54582805
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 286pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 370pF |
商品概述
SQ4182EY-T1 BE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30V，漏极电流（ID） = 30A
- 当栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 4.5mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源