NTMS4917NR2G-HXY

NTMS4917NR2G-HXY

描述

这款N沟道场效应管（MOSFET）专为高效电源管理设计，具备30V漏源击穿电压与10A连续漏极电流承载能力。其核心优势在于极低的9mΩ导通电阻，配合20V栅源耐压，能显著降低大电流传输时的热损耗。该器件响应迅速，非常契合DC-DC转换器、便携式设备供电模块及智能电池保护电路的需求，在紧凑空间内实现稳定的功率开关控制。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NTMS4917NR2G-HXY

商品编号

C54582806

商品封装

SOP-8​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)