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NTMS4917NR2G-HXY
NTMS4917NR2G-HXY
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）专为高效电源管理设计，具备30V漏源击穿电压与10A连续漏极电流承载能力。其核心优势在于极低的9mΩ导通电阻，配合20V栅源耐压，能显著降低大电流传输时的热损耗。该器件响应迅速，非常契合DC-DC转换器、便携式设备供电模块及智能电池保护电路的需求，在紧凑空间内实现稳定的功率开关控制。
- 商品型号
- NTMS4917NR2G-HXY
- 商品编号
- C54582806
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.144克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 580pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 94pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 110pF |
商品概述
NTMS4917NR2G采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30V，漏极电流（ID） = 10A
- 当栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 12mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- SOP - 8封装
- N沟道MOSFET