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DMN3053L-13-HXY
DMN3053L-13-HXY
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- 描述
- 这款N沟道场效应管具备30V的耐压能力，在导通状态下呈现出33mΩ的低电阻特性，能够有效降低功率损耗。其5A的电流处理能力，使其在各类电源管理与负载切换应用中表现可靠。 该器件的核心优势在于其高效的开关性能与紧凑的封装设计。通过优化内部结构，它在保证性能的同时，显著减小了在电路板上的占用空间。这种特性使其尤其适合应用于对尺寸和能效有严格要求的场景，例如便携式电子设备、电池供电产品以及各类手持装置。
- 商品型号
- DMN3053L-13-HXY
- 商品编号
- C54582808
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.040816克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 310pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 49pF |
商品概述
DMN3053L - 13采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V，漏极电流ID = 5A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 42mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源