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AO4566
AO4566
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- 描述
- 这款N沟道场效应管专为中低压大电流应用设计，具备30V的耐压能力与10A的持续电流处理水平。其核心亮点在于低至9mΩ的导通电阻，这意味着在满载运行时能显著抑制发热，提升整体能效。配合20V的栅源极耐压范围，该器件在驱动电路设计上拥有较高的安全裕度。凭借优异的电流承载能力与低损耗特性，它非常适合应用于高性能电池管理系统、大功率DC-DC转换器以及各类需要高效电源切换的便携式设备中。
- 商品型号
- AO4566
- 商品编号
- C54582809
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.144克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 580pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 94pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 110pF |
商品概述
AO4566采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30V，漏极电流（ID） = 10A
- 当栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 12mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源