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SI4894BDY-T1-GE3-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管专为30V低压大电流场景打造。其核心亮点在于9mΩ的极致低导通电阻，能有效降低大功率传输时的传导损耗，显著提升能效。器件具备10A的连续漏极电流承载能力，配合±20V的栅源电压耐受范围，确保了在复杂驱动环境下的运行稳定性。在应用方面，它非常适合用于DC-DC转换器、开关电源及高功率电源管理系统，能够胜任超大电流负载开关等核心功率控制任务，是构建高功率密度电路的理想选择。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SI4894BDY-T1-GE3-HXY
商品编号: C54582802
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.142克(g)

商品参数

SI4894BDY-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。封装形式为SOP - 8。