SI4166DY-T1-GE3-HXY
SI4166DY-T1-GE3-HXY
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- 描述
- 这款N沟道场效应管专为高性能功率应用设计,具备30V漏源电压与30A连续漏极电流的强劲规格。其核心优势在于3.3mΩ的超低导通电阻,能大幅降低功率损耗,显著提升系统能效。器件支持±20V栅源电压,确保了驱动电路的兼容性与稳定性。 在应用层面,凭借低导通损耗与高电流处理能力,它非常适合用于高效率DC-DC转换器、电机驱动控制及电池管理系统,是构建高功率密度电路的理想选择。
- 商品型号
- SI4166DY-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C54582803
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
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