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SQ4182EY-T1_GE3-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管专为高电流密度的电源管理场景设计。其核心优势在于极低的导通电阻（3.3mR），配合30A的连续漏极电流处理能力，能有效降低通路损耗并抑制发热，确保在30V耐压范围内实现高效的功率传输。得益于±20V的栅源极宽电压耐受范围，该器件对驱动电路具有良好的适应性，既适合构建紧凑的同步整流拓扑，也能胜任便携式设备中的负载开关任务，在追求高能效与小型化的电路设计中表现稳健。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SQ4182EY-T1_GE3-HXY
商品编号: C54582804
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.148克(g)

商品参数

SQ4182EY-T1GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。