SI4894BDY-T1-E3-HXY

SI4894BDY-T1-E3-HXY

描述

这款N沟道场效应管专为高效电源管理而设计，其核心特性在于极低的导通电阻与稳健的电压处理能力。30V的漏源击穿电压为电路提供了充足的安全裕量，而9mΩ的超低导通电阻则能显著降低传导损耗，提升系统整体能效。在10V栅源电压驱动下，它可承载10A的连续电流，确保了在中等功率应用中的稳定表现。凭借±20V的栅极耐压，该器件对驱动电路具有良好的兼容性。它非常适用于各类DC-DC转换器、电池保护模块以及电机驱动电路，是实现高功率密度设计的关键元件。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SI4894BDY-T1-E3-HXY

商品编号

C54582801

商品封装

SOP-8​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)