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SI4894BDY-T1-E3-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管专为高效电源管理而设计，其核心特性在于极低的导通电阻与稳健的电压处理能力。30V的漏源击穿电压为电路提供了充足的安全裕量，而9mΩ的超低导通电阻则能显著降低传导损耗，提升系统整体能效。在10V栅源电压驱动下，它可承载10A的连续电流，确保了在中等功率应用中的稳定表现。凭借±20V的栅极耐压，该器件对驱动电路具有良好的兼容性。它非常适用于各类DC-DC转换器、电池保护模块以及电机驱动电路，是实现高功率密度设计的关键元件。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SI4894BDY-T1-E3-HXY
商品编号: C54582801
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.146克(g)

商品参数

SI4894BDY-T1-E3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。封装形式为SOP-8。