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AOSP32320C

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描述: 这款N沟道场效应管是一款面向中等功率应用的功率开关器件，具备30V的漏源耐压和9A的连续电流承载能力。18mΩ的导通电阻为中等负载下的功率传输提供了可靠的性能保障，在成本与效率之间实现了良好平衡。±20V的栅源电压范围赋予了驱动电路设计充分的灵活性，能够兼容多种控制方案。凭借稳定的电气特性与紧凑的封装形式，该器件非常适合应用于DC-DC转换器、电源适配器以及各类消费类电子产品的负载开关电路中。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: AOSP32320C
商品编号: C54582800
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.142克(g)

商品参数

AOSP32320C采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。