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AOSP36326C

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描述: 这款N沟道场效应管专为低压大电流应用优化，在30V的耐压架构下实现了10A的持续电流吞吐能力。其核心优势在于9mΩ的极低导通电阻，这一特性显著降低了导通损耗，使得器件在紧凑的PCB布局中也能保持良好的热表现。20V的栅源电压范围确保了驱动电路设计的灵活性与稳健性。该器件非常适合应用于便携式设备的电源管理、锂电池保护电路以及各类DC/DC同步整流模块，能够高效处理负载切换与功率分配任务。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: AOSP36326C
商品编号: C54582795
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.144898克(g)

商品参数

AOSP36326C采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。