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IRF7862TRPBF-HXY

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描述: 该N沟道场效应管专为高效电源管理设计，具备30V耐压与30A连续电流处理能力。其核心优势在于极低的3.3mΩ导通电阻，能显著降低大电流传输时的热损耗，提升系统整体能效。±20V的栅源电压范围确保了驱动电路设计的灵活性与安全性。凭借优异的开关特性，该器件非常适用于DC-DC转换器、锂电池保护板及各类便携式设备的负载开关电路，在紧凑的PCB空间内实现稳定的功率控制。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IRF7862TRPBF-HXY
商品编号: C54582798
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.146克(g)

商品参数

IRF7862TRPBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。