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AO4354

AO4354

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描述
这款N沟道场效应管具备30V的耐压能力与30A的持续电流承载能力,导通电阻低至3.3mΩ。其±20V的栅源电压范围提供了宽裕的驱动设计空间。凭借低阻抗特性,器件在大电流传输时能有效抑制发热与功耗。它非常适合应用于高性能电源管理模块、DC-DC转换电路以及便携式设备的负载开关中,能够在紧凑的PCB布局下提供稳定的功率控制,满足现代电子产品对高能效与小型化的严苛要求。
商品型号
AO4354
商品编号
C54582796
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.14898克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))3.3mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.4W
阈值电压(Vgs(th))1.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)24nC@10V
输入电容(Ciss)3.1nF
反向传输电容(Crss)286pF
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)370pF

商品概述

AO4354采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 30V,漏极电流(ID) = 30A
  • 当栅源电压(VGS) = 10V时,导通电阻(RDS(ON)) < 4.5mΩ

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关
  • 不间断电源

数据手册PDF