AO4354
AO4354
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- 描述
- 这款N沟道场效应管具备30V的耐压能力与30A的持续电流承载能力,导通电阻低至3.3mΩ。其±20V的栅源电压范围提供了宽裕的驱动设计空间。凭借低阻抗特性,器件在大电流传输时能有效抑制发热与功耗。它非常适合应用于高性能电源管理模块、DC-DC转换电路以及便携式设备的负载开关中,能够在紧凑的PCB布局下提供稳定的功率控制,满足现代电子产品对高能效与小型化的严苛要求。
- 商品型号
- AO4354
- 商品编号
- C54582796
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14898克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 286pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 370pF |
商品概述
AO4354采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 30V,漏极电流(ID) = 30A
- 当栅源电压(VGS) = 10V时,导通电阻(RDS(ON)) < 4.5mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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- IRF7862TRPBF-HXY
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