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IRF7832TRPBF-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管专为低压大电流场景设计，拥有30V耐压与30A持续电流能力，其3.3mΩ的极低导通电阻能显著降低传导损耗。±20V的栅源电压范围确保了驱动电路的灵活性。它非常适合应用于高性能DC/DC转换器、同步整流电路及便携式设备电源管理，在紧凑空间内实现高效功率传输，满足现代电子产品对高能效和小型化的需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IRF7832TRPBF-HXY
商品编号: C54582797
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.148克(g)

商品参数

IRF7832TRPBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。