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BUK7227-100B-HXY实物图
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BUK7227-100B-HXY

BUK7227-100B-HXY

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描述
这款N沟道MOSFET具备100V耐压与30A持续电流处理能力,专为中高压功率控制场景打造。24mΩ低导通电阻可减少能量损耗与发热,±20V栅源电压适配多种驱动电路设计。在DC-DC降压转换器、电机调速模块、大功率LED驱动等应用中,它能实现高效电能切换,保障电路稳定运行,是功率管理电路的核心开关器件。
商品型号
BUK7227-100B-HXY
商品编号
C54582790
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.4克(g)

商品参数

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参数完善中

商品概述

BUK7227 - 100B采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS为100V,ID为30A
  • RDS(ON) ≤ 30 mΩ,VGS为10V

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关
  • 不间断电源
  • TO - 252 - 2L封装
  • N沟道MOSFET

数据手册PDF