BUK7227-100B-HXY
BUK7227-100B-HXY
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- 描述
- 这款N沟道MOSFET具备100V耐压与30A持续电流处理能力,专为中高压功率控制场景打造。24mΩ低导通电阻可减少能量损耗与发热,±20V栅源电压适配多种驱动电路设计。在DC-DC降压转换器、电机调速模块、大功率LED驱动等应用中,它能实现高效电能切换,保障电路稳定运行,是功率管理电路的核心开关器件。
- 商品型号
- BUK7227-100B-HXY
- 商品编号
- C54582790
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
BUK7227 - 100B采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS为100V,ID为30A
- RDS(ON) ≤ 30 mΩ,VGS为10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- TO - 252 - 2L封装
- N沟道MOSFET
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