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PSMN025-100D-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管具备100V耐压与30A电流处理能力，导通电阻仅为24mΩ。在电路设计中，它主要承担功率开关的角色，利用其低内阻特性有效降低导通损耗，提升电源转换效率。其应用场景广泛，常见于各类DC/DC转换器中，负责电能的高效传输与电压变换。同时，它也适用于电机驱动电路，能够响应控制信号快速切换，实现对负载电流的精准调控。此外，在便携式电子设备及移动电源的充放电管理回路中，该器件也能提供稳定的功率输出支持。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: PSMN025-100D-HXY
商品编号: C54582791
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.412克(g)

商品参数

PSMN025 - 100D采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。