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IRFR540ZTRLPBF-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRFR540ZTRLPBF-HXY

IRFR540ZTRLPBF-HXY

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描述
这款N沟道场效应管专为100V中压应用场景打造,具备30A的持续载流能力,足以应对各类中高功率负载需求。其导通电阻低至24mΩ,在运行过程中可有效降低传导损耗,减少发热。±20V的栅源电压范围,为驱动电路设计提供了充足的安全余量与灵活性。该器件广泛应用于DC-DC转换器、音频功率放大器及无刷电机驱动系统,凭借稳定的电压耐受性与电流处理能力,保障设备在复杂工况下高效、可靠运行。
商品型号
IRFR540ZTRLPBF-HXY
商品编号
C54582786
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.408163克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))24mΩ@10V
耗散功率(Pd)88W
阈值电压(Vgs(th))1.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)13nC@10V
输入电容(Ciss)2.857nF
反向传输电容(Crss)99pF
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)126pF

商品概述

IRFR540ZTRLPBF采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • 漏源电压(VDS):100V,漏极电流(ID):30A
  • 导通电阻(RDS(ON)):30毫欧(VGS = 10V时)

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关
  • 不间断电源

数据手册PDF