IRFR540ZTRPBF-HXY
IRFR540ZTRPBF-HXY
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- 描述
- 这款N沟道场效应管专为高效功率切换设计,其100V耐压值与30A电流处理能力,使其能从容应对中高功率电路的核心需求。24mΩ的低导通电阻有效降低了导通损耗与发热,提升了整体能效。±20V的栅源电压范围则为驱动电路设计提供了充足的余量。凭借这些特性,它非常适用于各类DC-DC转换器、开关电源模块以及电机驱动等场景,是实现稳定、高效电能管理的理想选择。
- 商品型号
- IRFR540ZTRPBF-HXY
- 商品编号
- C54582789
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.406克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 88W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.857nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 99pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 126pF |
商品概述
IRFR540ZTRPBF采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压(VDS):100V
- 漏极电流(ID):30A
- 导通电阻(RDS(ON)):≤30mΩ(栅源电压VGS = 10V时)
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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