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AUIRFR540ZTRL-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AUIRFR540ZTRL-HXY

AUIRFR540ZTRL-HXY

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描述
这款N沟道场效应管专为中高压功率管理设计,具备100V的漏源击穿电压与30A的连续电流处理能力。其核心优势在于极低的24mΩ导通电阻,配合±20V的栅源耐压范围,有效降低了导通损耗与热设计难度。器件利用先进的沟槽技术优化了开关特性,适合应用于高频DC-DC转换器、无刷电机驱动电路以及高功率密度的负载开关系统,能够显著提升电源转换效率并简化散热结构。
商品型号
AUIRFR540ZTRL-HXY
商品编号
C54582788
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.414克(g)

商品参数

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参数完善中

商品概述

AUIRFR540ZTRL采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • 漏源电压(VDS):100V
  • 漏极电流(ID):30A
  • 导通电阻(RDS(ON)):≤30mΩ(栅源电压VGS = 10V时)

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关
  • 不间断电源
  • TO - 252 - 2L封装N沟道MOSFET

数据手册PDF