STD40NF10-HXY
STD40NF10-HXY
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- 描述
- 该器件为一款耐压100V的N沟道功率场效应管,其连续漏极电流能力为30A,在10V栅源驱动下导通电阻典型值为24mΩ,栅源电压可承受±20V。器件采用沟槽栅工艺,具备低栅极电荷与快速开关特性,适用于高频开关拓扑。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流、电机驱动桥臂、以及各类中低压功率开关电路,在追求高效率与紧凑布局的电源设计中表现突出。
- 商品型号
- STD40NF10-HXY
- 商品编号
- C54582787
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 88W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.857nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 99pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 126pF |
商品概述
STD40NF10采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS 100V,ID 30A
- RDS(ON) 30 mΩ,VGS 10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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