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SIS4406DN-T1-GE3-HXY
SIS4406DN-T1-GE3-HXY
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- 描述
- 这款N沟道场效应管专为大电流功率路径设计，在40V耐压架构下，实现了70A的持续电流处理能力。其核心价值在于4.2mΩ的极低导通电阻，这意味着在大电流工作时，能有效抑制传导损耗，为系统带来更低的温升和更高的能效。器件支持±20V的栅极驱动电压，具备良好的设计裕度与兼容性。它非常适合应用于高功率密度电源、大电流负载开关及需要高效功率传输的直流电机驱动模块，为紧凑型设计提供可靠的功率通路。
- 商品型号
- SIS4406DN-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C54582781
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.098克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 152pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 233pF |
商品概述
SIS4406DN-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 40V，漏极电流（ID） = 70A
- 当栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 5.5mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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