SIS4406DN-T1-GE3-HXY

SIS4406DN-T1-GE3-HXY

描述

这款N沟道场效应管专为大电流功率路径设计，在40V耐压架构下，实现了70A的持续电流处理能力。其核心价值在于4.2mΩ的极低导通电阻，这意味着在大电流工作时，能有效抑制传导损耗，为系统带来更低的温升和更高的能效。器件支持±20V的栅极驱动电压，具备良好的设计裕度与兼容性。它非常适合应用于高功率密度电源、大电流负载开关及需要高效功率传输的直流电机驱动模块，为紧凑型设计提供可靠的功率通路。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SIS4406DN-T1-GE3-HXY

商品编号

C54582781

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)