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BUK626R2-40C-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管专为40V中低压环境设计，具备80A的持续载流能力。其导通电阻仅为5.5mΩ，在大电流工况下能有效抑制发热，提升能效。±20V的栅源电压范围赋予了驱动电路极高的灵活性。该器件广泛应用于无绳电动工具、智能家居电源模块及便携式储能设备中，凭借优异的开关特性与低损耗表现，确保系统在紧凑空间内稳定运行，是高效功率控制的理想选择。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: BUK626R2-40C-HXY
商品编号: C54582785
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.396克(g)

商品参数

BUK626R2 - 40C采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。