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AON7240

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描述: 这款N沟道场效应管专为高效能电路设计，具备70A的持续电流承载能力和40V的漏源击穿电压。其核心优势在于低至4.2mΩ的导通电阻，能有效抑制功率损耗，配合±20V的栅极驱动范围，可灵活适配各类驱动电路。该器件在电源管理、电机控制及DC-DC转换器等应用中表现优异，凭借出色的开关特性，能够显著提升系统的整体能效与响应速度，满足现代电子设备对紧凑布局与高性能的严苛要求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: AON7240
商品编号: C54582782
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.094克(g)

商品参数

AON7240采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。