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STD90N4F3-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管专为40V供电架构设计，具备80A的持续电流处理能力。其5.5mΩ的极低导通电阻特性，能有效抑制大电流工况下的热损耗，配合±20V的宽栅极驱动范围，确保了与各类控制芯片的兼容性。该器件在开关电源、无刷电机驱动及电池管理系统中表现优异，凭借高效的电能转换特性，能够满足高功率密度电子设备对紧凑布局与稳定运行的严苛要求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: STD90N4F3-HXY
商品编号: C54582783
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.398克(g)

商品参数

STD90N4F3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。