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STD95N04-HXY

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描述: 该N沟道场效应管专为高效功率切换而设计，其核心能力在于可承载80A的持续电流，并能耐受40V的漏源电压。在10V栅极驱动下，其导通电阻低至5.5mΩ，确保了在大电流工况下依然保持极低的传导损耗与发热。±20V的栅源电压范围则为驱动电路设计提供了充裕的安全边界。凭借其出色的电气性能，该器件非常适用于中大功率的DC-DC转换器、服务器电源模块及高性能负载开关等场景，是实现高能效电源管理的关键组件。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: STD95N04-HXY
商品编号: C54582784
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.396克(g)

商品参数

STD95N04采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。