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SQS146ELNW-T1_GE3-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管针对中低压大电流应用场景优化，在40V耐压下实现了70A的持续电流吞吐能力。其核心竞争力在于4.2mΩ的超低导通电阻，能有效降低传导损耗，显著缓解大电流下的温升压力。器件支持±20V的栅极驱动电压，具备良好的逻辑电平兼容性，可适配多种控制拓扑。凭借低阻抗与高可靠性的平衡，它非常适用于高功率密度电源管理、智能设备负载开关及直流电机驱动回路，为紧凑型功率设计提供稳健的通路保障。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SQS146ELNW-T1_GE3-HXY
商品编号: C54582780
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.094克(g)

商品参数

SQS146ELNW-T1_GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。