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NVTFS004N04CETAG-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管专为大电流、低电压应用场景设计。其4.2mΩ的超低导通电阻，能有效降低70A大电流下的导通损耗与发热，显著提升电源转换效率。40V的漏源耐压（VDSS）使其能稳定应对中低压供电环境。该器件开关特性优异，驱动电路设计简洁，易于实现高频开关操作。它广泛应用于各类消费电子设备、服务器电源模块、便携式储能系统以及高性能电机驱动电路中，作为主开关管或同步整流管，是实现高效、紧凑功率设计的核心元件。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NVTFS004N04CETAG-HXY
商品编号: C54582778
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.098克(g)

商品参数

NVTFS004N04CETAG采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。