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FDD8453LZ-F085-HXY

FDD8453LZ-F085-HXY

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描述
这款N沟道场效应管专为高效功率切换设计,具备80A的持续电流处理能力与40V耐压规格。其核心优势在于极低的5.5mΩ导通电阻,这意味着在大电流传输时能显著抑制热损耗,提升系统整体能效。器件支持±20V的栅极驱动范围,能够灵活适配各类控制电路。凭借优异的电气性能,它非常契合高性能开关电源、DC-DC转换模块以及便携式高功率设备的负载开关应用,为紧凑型电路设计提供可靠的功率管理方案。
商品型号
FDD8453LZ-F085-HXY
商品编号
C54582779
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.394克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on))5.4mΩ@10V
耗散功率(Pd)114W
阈值电压(Vgs(th))1.9V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)48nC@10V
输入电容(Ciss)2.443nF
反向传输电容(Crss)138pF
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)167pF

商品概述

FDD8453LZ - F085采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • 漏源电压VDS = 40V,漏极电流ID = 80A
  • 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 5.4mΩ

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关
  • 不间断电源

数据手册PDF